因为在“汉芯1号”造假事件发生约20年之后，中国芯片造假事件依然层出不穷，特别是在“缺芯”的2021年，芯片造假可以说到了登峰造极的地步，《芯片公司倒闭3400多家，统统清一色骗补贴的公司，芯片却原地踏步》一文让你看了触目惊心，《警惕!近万家企业进军芯片行业，当真有实力还是为了骗补贴?》让我提高了警惕。

　　今天头条热点话题《芯片巨头美光：成功绕过了EUV光刻技术》一文确实令人兴奋，甚至令国人狂喜，终于突破了一项“卡脖子”技术，极大地利好国内科技企业和制造业。

　　该文报道，本周美光宣布，采用全球先进1β(1-beta)制造工艺的DRAM内存芯片已经送样给部分手机制造商、芯片平台合作伙伴进行验证，并做好了量产准备。1β工艺可将能效提高约15%，存储密度提升35%以上，单颗裸片(Die)容量高达16Gb(2GB)。

　　不太懂以上技术参数，但从文章内容的比较中，我看出了此项技术的先进程度十分了得。美光称，1β绕过了EUV(极紫外光刻)工具，而依然采用的是DUV(深紫外光刻)。这意味着相较于三星、SK海力士，美光需要更复杂的设计方案。

　　唯一有点遗憾的是，如此重大的科技成果不是由科技类杂志宣布，也不是由官方的央视、人民日报宣布，仅仅是一些自媒体宣布，这令我高兴之余，还真的不敢百分百相信。